-
Позвоните нам +86 -755-25432352
-
Свяжитесь с нами по электронной почте info@urbanmines.com
-
Come & visit us Block A, FuHai Technopark, HuaFeng Smart Valley, YongFu Rd, BaoAn,Shenzhen,China
Позвоните нам +86 -755-25432352
Свяжитесь с нами по электронной почте info@urbanmines.com
Come & visit us Block A, FuHai Technopark, HuaFeng Smart Valley, YongFu Rd, BaoAn,Shenzhen,China
Триметилалюминий (TMAI) является важнейшим сырьем для производства других металлоорганических источников, используемых в процессах атомно-слоевого осаждения (ALD) и химического осаждения из газовой фазы (CVD).
Триметилалюминий представляет собой одно из простейших алюминийорганических соединений. Хотя его название предполагает мономерную структуру, на самом деле он имеет формулу Al2(CH3)6 (сокращенно Al2Me6 или TMAI), существуя в виде димера. Эта бесцветная жидкость является пирофорной и играет промышленно значимую роль, тесно связанную с триэтилалюминием.
UrbanMines входит в число ведущих поставщиков триметилалюминия (TMAI) в Китае. Используя наши передовые методы производства, мы предлагаем TMAI с различными уровнями чистоты, специально разработанный для применения в полупроводниковой, солнечной и светодиодной промышленности.
Триметилалюман (TMAI)
| Синонимы | Триметилалюминий, триметилалюминий, триметанид алюминия, ТМА, ТМАЛ, AlMe3, катализатор Циглера-Натта, триметил-, триметилалан. |
| Номер CAS | 75-24-1 |
| Химическая формула | C6H18Al2 |
| Молярная масса | 144,17 г/моль, 72,09 г/моль (C3H9Ал) |
| Появление | Бесцветная жидкость. |
| Плотность | 0,752 г/см33 |
| Температура плавления | 15℃ (59℉; 288K) |
| Точка кипения | 125--130℃ (257--266℉, 398--403K) |
| Растворимость в воде | Реагирует |
| Давление пара | 1,2 кПа (20 ℃), 9,24 кПа (60 ℃) |
| Вязкость | 1,12 сП (20 ℃), 0,9 сП (30 ℃) |
Триметилалюминий (ТМАl), как источник металлорганических соединений (МО), широко используется в полупроводниковой промышленности и служит ключевым прекурсором для атомно-слоевого осаждения (ALD), химического осаждения из паровой фазы (CVD) и металлорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD). Он используется для приготовления высокочистых алюминийсодержащих пленок, таких как оксид алюминия и нитрид алюминия. Кроме того, TMAl находит широкое применение в качестве катализатора и его вспомогательного агента в реакциях органического синтеза и полимеризации.
Триметилалюминий (TMAI) действует как прекурсор для осаждения оксида алюминия и функционирует как катализатор Циглера-Натта. Он также является наиболее часто используемым прекурсором алюминия в производстве металлоорганической парофазной эпитаксии (MOVPE). Кроме того, TMAI служит в качестве метилирующего агента и часто выпускается из зондирующих ракет в качестве трассера для изучения ветровых моделей верхних слоев атмосферы.
Спецификация предприятия 99,9999% триметилалюминия - низкое содержание кремния и кислорода (6N TAMI-Low Si и Low Ox)
| Элемент | Результат | Спецификация | Элемент | Результат | Спецификация | Элемент | Результат | Спецификация |
| Ag | ND | <0,03 | Cr | ND | <0,02 | S | ND | <0,05 |
| As | ND | <0,03 | Cu | ND | <0,02 | Sb | ND | <0,05 |
| Au | ND | <0,02 | Fe | ND | <0,04 | Si | ND | ≤0,003 |
| B | ND | <0,03 | Ge | ND | <0,05 | Sn | ND | <0,05 |
| Ba | ND | <0,02 | Hg | ND | <0,03 | Sr | ND | <0,03 |
| Be | ND | <0,02 | La | ND | <0,02 | Ti | ND | <0,05 |
| Bi | ND | <0,03 | Mg | ND | <0,02 | V | ND | <0,03 |
| Ca | ND | <0,03 | Mn | ND | <0,03 | Zn | ND | <0,05 |
| Cd | ND | <0,02 | Ni | ND | <0,03 | |||
| Co | ND | <0,02 | Pb | ND | <0,03 |
Примечание:
Выше всего значение PPM по весу на металле, и ND=не обнаружено
Метод анализа: ИСП-ОЭС/ИСП-МС
Результаты FT-ЯМР (предел обнаружения органических и кислородсодержащих примесей FT-ЯМР составляет 0,1 ppm):
Гарантия кислорода <0,2 ppm (измерено в FT-ЯМР)
1.Органических примесей не обнаружено.
2. Кислородсодержащих примесей не обнаружено.
Для чего используется триметилалюминий (ТМАИ)?
Применение катализа:
С момента изобретения катализа Циглера-Натта алюминийорганические соединения играют ключевую роль в производстве полиолефинов, включая полиэтилен и полипропилен. Метилалюмоксан (МАО), полученный из триметилалюминия (ТМА), служит активатором для многочисленных катализаторов переходных металлов в процессах полимеризации.
Применение полупроводников:
Триметилалюминий (ТМА) широко используется в производстве полупроводников для осаждения тонких пленок диэлектриков с высокой проводимостью, таких как оксид алюминия (Al2O3), посредством химического осаждения из паровой фазы (CVD) или атомно-слоевого осаждения (ALD). В полупроводниковой промышленности высокочистый ТМА выполняет функцию прекурсора алюминия в процессах ALD или CVD для получения тонких пленок Al2O3 в качестве диэлектрических материалов с высокой проводимостью. Кроме того, ТМА является предпочтительным прекурсором для эпитаксии из металлорганических паров (MOVPE) для полупроводниковых соединений, содержащих алюминий, таких как арсенид алюминия (AlAs), нитрид алюминия (AlN), фосфид алюминия (AlP), антимонид алюминия (AlSb), арсенид галлия-алюминия (AlGaAs), арсенид галлия-индия-алюминия (AlInGaAs), фосфид галлия-индия-алюминия (AlInGaP), нитрид галлия-алюминия (AlGaN), нитрид галлия-индия-алюминия (AlInGaN) и фосфид галлия-нитрида-индия-алюминия (AlInGaNP). Критерии качества для ТМА сосредоточены на (a) элементарных примесях, (b) кислородсодержащих примесях и (c) органических примесях.
Фотоэлектрические применения:
В фотоэлектрической промышленности TMA используется для формирования пассивирующих слоев оксида алюминия (Al2O3) посредством плазменно-усиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) или атомно-слоевого осаждения (ALD). Подобно обработке полупроводников, TMA используется для осаждения тонкопленочных диэлектрических слоев с низким значением k (непоглощающих), содержащих Al2O3, посредством процессов CVD или ALD. Высокочистый TMA повышает эффективность кристаллических кремниевых солнечных элементов за счет создания эффективных пассивирующих слоев Al2O3, тем самым улучшая производительность.
Применение светодиодов:
В производстве светодиодов высокочистый TMA используется посредством MOVPE или CVD для изготовления алюминийсодержащих полупроводниковых соединений, таких как эпитаксиальные слои нитрида алюминия-галлия (AlGaN) или пассивирующие слои оксида алюминия (Al2O3) и нитрида алюминия (AlN). Это улучшает оптическую эффективность и обеспечивает превосходные характеристики освещения.
ТЕГИ :
Авторские права @ 2010-2025 УрбанМайнс Тех. Компания с ограниченной ответственностью. Все права защищены .
IPv6 ПОДДЕРЖИВАЕМАЯ СЕТЬ
