Осаждение тонких пленок и прекурсоры электронных материалов

В эту серию входят триметилалюминий (TMA) и хлорид гексаамминокобальта(III). Оба вещества представляют собой высокочистые координационные соединения или металлоорганические прекурсоры, предназначенные главным образом для атомно-слоевого осаждения (ALD), химического осаждения из газовой фазы (CVD) и других передовых процессов производства тонких пленок.

- Триметилалюминий (TMA) — классический прекурсор — источник алюминия для процессов ALD. Он широко используется для изготовления диэлектрических слоев с высоким значением диэлектрической проницаемости, слоев затворного оксида и пассивирующих слоев для полупроводниковых приборов. Ключевые критерии выбора включают содержание металлических примесей на уровне ppb, стабильность давления пара и стабильность характеристик от партии к партии.

- Хлорид гексаамминокобальта(III) служит прекурсором — источником кобальта для осаждения тонких пленок металлического кобальта или использования в определенных каталитических системах. Критические показатели эффективности включают целостность координационной структуры, растворимость и температуру термического разложения.

Мы предоставляем полные технические паспорта (TDS), отчеты об анализе металлических примесей методом ICP-MS и паспорта безопасности (SDS). Доступны специализированные варианты упаковки, такие как барботерные баллоны и контейнеры из нержавеющей стали, а также полный комплект документации для соблюдения экспортных требований. Эти материалы помогают заказчикам сократить циклы квалификации материалов и снизить риски в цепочке поставок.